赣南师范大学学报

1996, (06) 86-87

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Past Issue) | 高级检索(Advanced Search)

晶体三极管特性曲线——V_(cE)=OV与V_(cE)>1V的区别
THE CHARACTERISTIC CURVES OF TRANSISTOR TRIODE——THE DIFFERENCES BETWEEN VCE.= 0V AND VCE>1V

李升潜,李升源

摘要(Abstract):

对晶体三极管输入特性进行分析,利用电流表、电压表测量,证实当V_(CE)=0V时,集电极比发射极先导通;当V_(CE)>1V时,晶体管处于放大状态.

关键词(KeyWords): 三极管输入特性;PN结;势垒高度

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 李升潜,李升源

Email:

参考文献(References):

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享